[发明专利]具有Cu互连的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410002438.X | 申请日： | 2004-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1518101A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 利根川丘 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体器件中的一种Cu连接，它具有不均匀的添加金属原子分布，其中添加金属原子在Cu互连的下表面和侧表面附近含量较高。Cu互连也具有不均匀的硅分布，其中添加硅原子在Cu互连的上表面附近含量较高。这种结构提高了Cu互连的电子迁移阻抗和压力迁移阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 cu 互连 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括具有添加金属原子和添加硅原子的第一Cu互连，其中所述添加金属原子的密度在所述第一Cu互连的下表面和侧表面附近比在其上表面附近高，并且所述添加硅原子的密度在所述上表面的所述附近比在所述下表面和侧表面的所述附近高。
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