[发明专利]电子元件封装结构及其制造方法无效
申请号: | 200410002497.7 | 申请日: | 2004-01-20 |
公开(公告)号: | CN1518080A | 公开(公告)日: | 2004-08-04 |
发明(设计)人: | 春原昌宏;村山启;东光敏;小山利德 | 申请(专利权)人: | 新光电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L25/00;H01L23/12;H05K3/46 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 马浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明包括在一个包括布线图案的布线衬底上形成一层未固化的第一树脂薄膜,将一个在元件形成表面上有一个连接终端的电子元件以该连接终端指向朝上的状态埋在所述的未固化的第一树脂薄膜中,形成一层第二树脂薄膜用于覆盖所述的电子元件,通过热处理固化第一和第二树脂薄膜来获得一层绝缘薄膜,在布线图案和连接终端上的绝缘薄膜的一个预定部分中形成一个通孔,并且在绝缘薄膜上,形成一层通过通孔连接到布线图案和连接终端的上层布线图案这些步骤。 | ||
搜索关键词: | 电子元件 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造一个电子元件封装结构的方法,包括步骤:在一个包括一个布线图案的布线衬底上形成一层未固化的第一树脂薄膜;将一个在一个元件形成表面上具有一个连接终端的电子元件以该连接终端指向朝上的状态埋在所述的未固化的第一树脂薄膜中;形成一层第二树脂薄膜,用于覆盖所述的电子元件;通过热处理固化所述的第一和第二树脂薄膜来获得一层绝缘薄膜;在布线图案和连接终端上的绝缘薄膜的一个预定部分中形成一个通孔;以及在绝缘薄膜上,形成一层通过所述通孔连接到布线图案和连接终端的上层布线图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新光电气工业株式会社,未经新光电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410002497.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:射出成型影像感测器封装方法
- 下一篇:半导体元件的引线成形装置和引线成形方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造