[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 200410002764.0 | 申请日: | 2004-01-14 |
公开(公告)号: | CN1542971A | 公开(公告)日: | 2004-11-03 |
发明(设计)人: | 新居浩二 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L27/11;G11C11/40 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 装有多端口存储器的本发明半导体存储装置,其中设有:行列状配置的多个存储单元MC;与第一端口(13a)连接的多条第一字线WLA0~WLAn;以及与第二端口(13b)连接的多条第二字线WLB0~WLBn。在平面布局中,多条第一字线WLA0~WLAn中的各条与多条第二字线WLB0~WLBn中的各条交互配置。由此,能够得到不使存储单元面积增大也可降低布线之间的耦合噪声的半导体存储装置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种装有多端口存储器的半导体存储装置,其中设有:行列状配置的多个存储单元,各自与各行对应配置并与所述存储单元连接,且在来自第一端口的存取时根据来自所述第一端口的地址信号被选择的多条第一字线,以及各自与各行对应配置并与所述存储单元连接,且在来自第二端口的存取时根据来自所述第二端口的地址信号被选择的多条第二字线;在平面布局中,所述多条第一字线中的各条与所述多条第二字线中的各条交互配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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