[发明专利]经抛光的半导体晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 200410002802.2 | 申请日： | 2004-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1518069A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·托伊施勒;京特·施瓦布;马克西米利安·施塔德勒 | 申请（专利权）人： | 瓦克硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明的涉及具有正面、背面及边缘R的抛光半导体晶片，该边缘R是位于距半导体晶片中心一段距离的半径上且是该半导体晶片经制轮廓的边界的一部分，其中在背面R－6毫米至R－1毫米的范围内背面平整度与理想平面的最大差异是0.7微米或更小。本发明还涉及一种用于制造抛光半导体晶片的方法，其中包括至少一次用液体蚀刻剂处理半导体晶片及至少一次抛光至少半导体晶片正面，在实施处理过程中该蚀刻剂是流至半导体晶片的边界上，面向蚀刻剂流体的半导体晶片边界至少一部分是经屏蔽以免遭受蚀刻剂冲击，其中该半导体晶片的边界是沿一定距离加以屏蔽，该距离是沿半导体晶片厚度d的方向延伸且是至少d+100微米长。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种经抛光的半导体晶片，其具有正面、背面及边缘R，该边缘R位于距半导体晶片中心一段距离的半径上、形成半导体晶片的圆周且是该半导体晶片所形成轮廓的边界的一部分，其中在背面R-6毫米至R-1毫米的范围内背面平整度与理想平面的最大差异是0.7微米或更小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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