[发明专利]用于沉积含硅薄膜的前体及其方法无效
| 申请号： | 200410002983.9 | 申请日： | 2004-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1518076A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 肖满超;A·K·霍奇伯格;K·S·库西尔 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/316;C23C16/34;C23C16/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张元忠;段晓玲 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使用下式的肼基硅烷作为氮化硅、氧化硅和氮氧化硅在基材上的硅电介质沉积的前体的方法：[R12N－NH]nSi(R2)4－n其中各R1独立选自C1－C6的烷基；各R2独立选自氢，烷基，乙烯基，烯丙基，和苯基；和n＝1－4。这些肼基硅烷的一些是新型前体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 薄膜 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、使用下式的肼基硅烷在基材上进行氮化硅的化学蒸汽沉积的方法：[R12N-NH]nSi(R2)4-n 其中各R1独立选自C1-C6的烷基；各R2独立选自氢，烷基，乙烯基，烯丙基，和苯基；和n＝1-4。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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