[发明专利]化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备有效
| 申请号： | 200410002996.6 | 申请日： | 2004-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1531022A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 中村淳一;佐佐木和明 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备。III－V族化合物半导体层的制造方法，包括以下工序：在反应室中的衬底上形成第一III－V族化合物半导体层；在第一III－V族化合物半导体层形成工序之前或之后，向反应室提供III族材料气体，防止反应室内的III族气体的再次蒸发。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 发光 元件 制造 方法 相生 设备 | ||
【主权项】：
1.一种III-V族化合物半导体层的制造方法，包括以下工序：在反应室中的衬底上形成第一III-V族化合物半导体层；在第一III-V族化合物半导体层形成工序之前或之后，向反应室提供III族材料气体，防止反应室内的III族气体的再次蒸发。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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