[发明专利]从金属硅制备超纯硅的方法和装置无效
申请号: | 200410003090.6 | 申请日: | 2004-01-19 |
公开(公告)号: | CN1648041A | 公开(公告)日: | 2005-08-03 |
发明(设计)人: | 吴尔盛 | 申请(专利权)人: | 吴尔盛 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 366200福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种由金属硅制备超纯硅的方法和装置,通过对原料破碎、杂质化合、结晶纯化三个顺序步骤原理,采用以下多种工序组合作业:把金属硅破碎为细颗粒以增大表面积;在硅颗粒中分别通入氧气、加入盐酸、通入氯气的办法,对硅中的杂质进行化合反应,以使硅中的杂质生成氧化物或氯化物;利用高温把低升华温度的氯化物蒸发去除,再利用个别元素偏析系数小和氧化物的低共熔点特性,用中间凝固技术或定向凝固技术进一步把硅中的杂质去除。通过上述工艺和装置来去除硅中杂质,把金属硅纯化为超纯硅制品。 | ||
搜索关键词: | 金属硅 制备 超纯硅 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种超纯硅的制备方法,其特征在于,通过以下工序由金属硅制备超纯硅:A.将金属硅粉碎为细颗粒;B.将硅颗粒装入高频感应炉的坩埚内加热,通入氧气使硅中的杂质被氧化成氧化物;C.将硅颗粒装入搪玻璃反应釜内,加入盐酸并加热,使硅中的杂质反应成为氯化物,滤出反应液,通入氮气把硅颗粒水份吹干;D.将硅颗粒装入高频感应电炉的坩埚内加热,在一定的温度范围内通入氯气,使硅中的杂质进一步生成氯化物,停止通氯后使硅熔融直至更高的温度;E.将硅熔体浇入预先放置有脱模剂的,有高级绝热效能的方斗形铸模内,缓慢地冷却以实现中间凝固,达到把杂质排除在坩埚内壁与内容硅间的周边,冷却脱模并清理后,获得铸块制品。F.将硅熔体或硅颗粒装入卧式多段式管式炉内,开启悬挂于钢轨下面嵌套在炉管径向外周,可沿炉管轴向方向移动的高频感应线圈,在开始中的一端朝轴向的另一端方向移动,即可把硅熔液中的杂质赶向炉管端头,把浓集杂质的一短炉管及内容硅取下后,装回端轴,把高频感应线圈调到开始的一端,重复上述操作趋赶杂质,又去掉浓集杂质的炉管小段。
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