[发明专利]卤化银乳剂、其制备方法和卤化银照相材料无效

专利信息
申请号: 200410003288.4 申请日: 2004-02-03
公开(公告)号: CN1519645A 公开(公告)日: 2004-08-11
发明(设计)人: 近藤晓也;村上修二;黑田浩一郎 申请(专利权)人: 柯尼卡美能达控股株式会社
主分类号: G03C1/005 分类号: G03C1/005;G03C1/035;G03C1/06;G03C7/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 刘明海
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开一种经受短时间的高强度数字曝光时显示出优异的潜像稳定性的卤化银乳剂,包括基于银含有至少90mol%氯化物、0.02至5.0mol%溴化物和0至2.0mol%碘化物而且吸留至少一种第8族金属化合物和至少一种铱化合物的卤化银晶粒,所述卤化银晶粒经过在至少一种右式所示化合物和硫化银或金晶粒存在下进行的硒增感。还公开了所述乳剂的制备方法。
搜索关键词: 卤化 乳剂 制备 方法 照相 材料
【主权项】:
1.一种制备卤化银乳剂的方法,所述卤化银乳剂包括基于银含有至少90mol%氯化物、0.02-5.0mol%溴化物和0-2.0mol%碘化物而且吸留至少一种第8族金属化合物和至少一种铱化合物的卤化银晶粒,所述方法包括以下步骤:(i)通过使银盐与卤化物盐在分散介质中混合形成卤化银晶粒,和(ii)使银形成的卤化银晶粒经过硒增感,其中在步骤(ii)中,所述硒增感在至少一种选自式(1)、(2)或(3)所示化合物,式(4)所示化合物,硫化银、硫化金和硫化金-银中至少一种的细晶粒,和式(S)所示化合物的存在下进行:式(1)                 R-SO2S-M式(2)                 R1-SO2S-R2式(3)                 R3-SO2S-Lm-SSO2-R4其中R、R1、R2、R3和R4均为脂族基、芳族基或杂环基;M为阳离子;L为二价连接基;m为0或1;式(4)                R11-(S)m1-R12其中R11和R12均为脂族基、芳族基或杂环基,或者R11和R12相互组合形成环;m1为2至6的整数;式(S)其中Q为形成5-或6-元含氮环所需原子团;M1为氢原子、碱金属或阳离子基团。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于柯尼卡美能达控股株式会社,未经柯尼卡美能达控股株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410003288.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top