[发明专利]单晶的制造方法无效
| 申请号： | 200410003298.8 | 申请日： | 2004-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN1519399A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 佐藤淳 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B15/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种单晶的制造方法，是利用恰克拉斯基法(Czochralski)制造以组成CaxNbyGazO12(2.9＜x＜3.1，1.6＜y＜1.8，3.1＜z＜3.3)表示的具有石榴石单晶的方法，通过以1.72mm/小时以下的结晶生长速度使结晶生长而制造单晶，并且最好在含有0.4体积％以上并小于10.0体积％的氧气的气氛内使结晶生长。利用本方法，可以制造高质量的以组成CaxNbyGazO12(2.9＜x＜3.1，1.6＜y＜1.8，3.1＜z＜3.3)表示的石榴石单晶，其能够作为单晶基板用于通过液相外延生长形成没有结晶缺陷的铋置换稀土类铁石榴石单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶的制造方法，是利用恰克拉斯基法制造以组成CaxNbyGaz012、其中2.9＜x＜3.1，1.6＜y＜1.8，3.1＜z＜3.3、表示的石榴石单晶的方法，其特征是，以1.72mm/小时以下的结晶生长速度使结晶生长。
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