[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200410003508.3 | 申请日： | 2004-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1519954A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 川口雄介;小野升太郎;中川明夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供元件特性指标Ron·Qgd值小的并且雪崩耐量大的沟槽栅极型功率MOSFET。与本发明相关的半导体器件，以与现有的普通沟槽栅极型功率MOSFET相同的节距形成多列条形沟槽，并且在每隔1列或者2列的沟槽内形成栅极电极，在其余的沟槽内形成源极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征是具有：第1导电型半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的第1导电型半导体层；在上述半导体层上形成的第2导电型基极层；从上述基极层表面到预定深度，以预定间隔形成的多列条形沟槽；在上述各沟槽的侧面以及底面形成的绝缘膜；在上述各沟槽之间的上述基极层表层部形成的第1导电型源极层；在上述各沟槽之间的上述基极层表层部中央形成的第2导电型的条形接触层；在上述多列沟槽之中每隔1列的各沟槽内形成的栅极电极；在形成上述栅极电极的沟槽以外的上述各沟槽内和在上述各源极层以及上述接触层上形成的源极电极；以及在上述半导体衬底背面上形成的漏极电极。
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