[发明专利]提供磁存储单元稳定性的方法无效
| 申请号： | 200410003527.6 | 申请日： | 2004-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN1571066A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | M·沙马;M·K·巴塔查亚 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;王勇 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包括一种提供存储单元[612]磁稳定性的方法。存储单元[612]通常位于靠近传导线[614]处，同时靠近于可以设置存储单元[612]磁性状态的写入机构。该方法包括接收一个从写入机构可获得的最大磁场强度的表示。可以生成存储单元[612]相对于传导线的期望位置，用于提供存储单元[612]的稳定性，同时仍然允许写入机构能够改变存储单元[612]的磁性状态。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 存储 单元 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提供存储单元[612]磁稳定性的方法，存储单元[612]位于靠近传导线[614]处同时靠近于可以设置存储单元[612]的磁性状态的写入机构，该方法包括：接收可从写入机构获得的最大磁场强度的表示；生成存储单元[612]相对于传导线[614]的期望位置，用以提供存储单元[612]的稳定性，同时仍然允许写入机构能够改变存储单元[612]的磁性状态。
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