[发明专利]具有连接焊盘的半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200410003541.6 申请日: 2004-01-29
公开(公告)号: CN1525571A 公开(公告)日: 2004-09-01
发明(设计)人: 李润星;朴柱成 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 谢丽娜;谷惠敏
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供一种具有连接焊盘的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体衬底上形成的线图形,由线隔片覆盖线图形的侧壁。具有线隔片的半导体衬底的所有表面覆有材料层。通过焊盘接触孔贯穿材料层的预定部分。焊盘接触孔穿过线图形之间的区域,露出半导体衬底。焊盘接触孔包括线图形之间的下开口和位于下开口上的上开口。上开口的侧壁覆有阻挡层。由阻挡层围绕的上开口和下开口填有连接焊盘。焊盘接触孔和阻挡层的形成包括部分地刻蚀材料层以形成具有与每个线图形的上表面相同高度或更小的下表面,在上开口的侧壁上形成阻挡层和刻蚀存在于上开口下的材料层,以形成穿过线图形之间的区域的下开口。
搜索关键词: 具有 连接 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种具有连接焊盘的半导体器件,包括:半导体衬底;在半导体衬底上形成的两个相邻的线图形,每个线图形具有依次层叠的线和线帽盖层;在线图形的侧壁上形成的线隔片;覆盖具有线图形和线隔片的半导体衬底的所有表面的材料层;穿过线图形之间的区域连同材料层的区域的焊盘接触孔,焊盘接触孔由线图形之间的下开口和位于下开口上的上开口形成;在上开口的侧壁上形成的阻挡层;以及填充由阻挡层围绕的下开口和上开口的连接焊盘。
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