[发明专利]具有连接焊盘的半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 200410003541.6 | 申请日: | 2004-01-29 |
公开(公告)号: | CN1525571A | 公开(公告)日: | 2004-09-01 |
发明(设计)人: | 李润星;朴柱成 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 谢丽娜;谷惠敏 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种具有连接焊盘的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体衬底上形成的线图形,由线隔片覆盖线图形的侧壁。具有线隔片的半导体衬底的所有表面覆有材料层。通过焊盘接触孔贯穿材料层的预定部分。焊盘接触孔穿过线图形之间的区域,露出半导体衬底。焊盘接触孔包括线图形之间的下开口和位于下开口上的上开口。上开口的侧壁覆有阻挡层。由阻挡层围绕的上开口和下开口填有连接焊盘。焊盘接触孔和阻挡层的形成包括部分地刻蚀材料层以形成具有与每个线图形的上表面相同高度或更小的下表面,在上开口的侧壁上形成阻挡层和刻蚀存在于上开口下的材料层,以形成穿过线图形之间的区域的下开口。 | ||
搜索关键词: | 具有 连接 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种具有连接焊盘的半导体器件,包括:半导体衬底;在半导体衬底上形成的两个相邻的线图形,每个线图形具有依次层叠的线和线帽盖层;在线图形的侧壁上形成的线隔片;覆盖具有线图形和线隔片的半导体衬底的所有表面的材料层;穿过线图形之间的区域连同材料层的区域的焊盘接触孔,焊盘接触孔由线图形之间的下开口和位于下开口上的上开口形成;在上开口的侧壁上形成的阻挡层;以及填充由阻挡层围绕的下开口和上开口的连接焊盘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410003541.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的