[发明专利]具有出色抗水能力的半导体器件无效
| 申请号： | 200410003544.X | 申请日： | 2004-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN1519902A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 松本明;深濑匡;井口学;小室雅宏 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/46 | 分类号： | H01L21/46;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体器件中，在内部部分中形成电路单元且在外围上形成密封内部部分且由金属层的壁组成的密封环。在角落上，密封环除了包含沿外围延伸的直线部分还包含向内延伸的直线部分，从而密封环形成为在每个角落上具有小矩形平面图形的平面图形。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 出色 水能 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包含：形成在衬底上的多层介电膜；形成在所述半导体器件的内部部分中的所述介电膜内的电路单元；以及不透水的壁，其穿过所述介电膜中的每一个，密封其里面形成有所述电路单元的内部部分，以及作为一个单元形成在所述半导体器件的外围上；其中，所述壁包含在所述半导体器件的角落的平面矩形图形，所述平面矩形图形包含沿外围延伸的直线部分和向内延伸的直线部分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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