[发明专利]用于改善铜金属层对势垒层的粘附性的半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 200410003545.4 | 申请日： | 2004-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN1519897A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 冈田纪雄 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的制造半导体器件的方法形成带有铜金属层和势垒金属的叠层金属膜，且在进行热处理之前，曾把叠层金属膜浸入包含带有至少一个羧基的有机酸的溶液中，从而从叠层金属膜上除去氧化物，该氧化物是在热处理中进行扩散的氧的来源。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 金属 势垒层 粘附 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造形成有叠层金属膜的半导体器件的方法，叠层金属膜带有主要含铜的铜金属层和含有比铜更容易被氧化的金属的势垒层，所述方法包含以下步骤：在形成在半导体衬底上的绝缘膜中的凹槽的底部和侧面上形成势垒层；形成所述铜金属层，使得所述铜金属层覆盖所述势垒层和填充在所述凹槽中；用包含带有至少一个羧基的有机酸的溶液除去形成在所述铜金属层的表面上的氧化物，其中，氧化物是由于所述铜金属层的表面被暴露至氧中而形成的；以及执行热处理，以生长铜晶粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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