[发明专利]具有高选择性的磁阻随机存取存储器无效
| 申请号： | 200410003614.1 | 申请日： | 2004-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1558422A | 公开（公告）日： | 2004-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李炅珍;朴玩濬 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种磁阻随机存取存储器。该磁阻随机存取存储器包括一个磁化矢量方向为固定的第一磁性层，一个在位置上与第一磁性层平行、一个磁化矢量方向可以被反转的第二磁性层，插入第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性层，该第二磁性层的纵横比为2或更小，厚度为5nm或更小，饱和磁化强度为800emu/cm3或更小。磁阻随机存取存储器具有无转折点、磁致电阻的特性，因而表现了无需考虑处理能力的高选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 选择性 磁阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻随机存取存储器，包括：一第一磁性层，其磁场矢量的方向是固定的；一第二磁性层，其设置为与所述第一磁性层平行，并且其磁场矢量的方向是可反转的；以及一插入第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性层；该第二磁性层的纵横比为2或更小，厚度为5nm或更小，饱和磁化强度为800emu/cm3或更小。
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