[发明专利]电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作工艺无效
| 申请号： | 200410003647.6 | 申请日： | 2004-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1652418A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 路秀真;常秀兰;李成明;刘峰奇;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/10;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。 | ||
| 搜索关键词： | 电泵浦边 发射 半导体 激光器 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410003647.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
