[发明专利]包括每个有浮动栅和控制栅极的MOS晶体管的半导体存储器

摘要

一种半导体存储器件包括多个存储单元(MC)，多个局部位线(LBL)，全局位线(WGBL，RGBL)，第一开关元件(SEL)，和保持电路(60)。存储单元(MC)包括第一(MT)和第二MOS晶体管(ST)。第一MOS晶体管(MT)具有电荷积聚层(150)和控制栅极(170)。第二MOS晶体管(ST)具有连接到第一MOS晶体管(MT)的电流通路的一端的其电流通路的一端。局部位线(LBL)连接第一MOS晶体管(MT)的电流通路的另一端。第一开关元件(SEL)在局部位线(LBL)和全局位线(WGBL，RGBL)之间连接。保持电路(60)连接到全局位线(WGBL，RGBL)，并且保存待写入到存储单元(MC)中的数据。

主权项

1.一种半导体存储器件，其特征在于包括：多个存储单元(MC)，每个存储单元包括具有电荷积聚层(150)和控制栅极(170)的第一MOS晶体管(MT)，以及其电流通路的一端连接到第一MOS晶体管(MT)的电流通路的一端的第二MOS晶体管(ST)；多个局部位线(LBL0，LBL1)，每个局部位线连接第一MOS晶体管(MT)的电流通路的另一端；全局位线(WGBL，RGBL)，局部位线(LBL)的两个或多个共同地连接到其上；第一开关(SEL)元件，其在局部位线(LBL)和全局位线(WGBL，RGBL)之间连接；以及保持电路(60)，其连接到全局位线(WGBL)并且保存待写入到存储单元(MC)中的数据。