[发明专利]氮化物半导体器件无效
| 申请号： | 200410003720.X | 申请日： | 1996-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1525578A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 中村修二;长滨慎一;岩佐成人 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343;H01L31/0264 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;黄敏 |
| 地址： | 日本德岛*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体器件，包含：量子阱结构有源层，具有第一表面和第二表面且由含铟氮化物半导体构成；第一层，邻接有源层的第一表面，且由含铝氮化物半导体构成；第二层，形成在有源层的第一表面一侧，比第一层离有源层远，并且由包含受主杂质的含铟氮化物半导体或GaN构成；以及第三层，形成在有源层的第一表面一侧，比第二层离有源层远，并且由包含受主杂质的含铝氮化物半导体构成。
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