[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200410003822.1 | 申请日： | 2004-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1571068A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 里见胜治;赤松宽范 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 具备：具有驱动字线的驱动晶体管的字线驱动电路；在字线驱动电路的输出到达高电平后立即的时间，使字线驱动电路的驱动晶体管截止的电路；在驱动晶体管截止后的时间，使字线升压的字线升压电路。字线升压电路由一端连接到字线的耦合电容和输出端连接到耦合电容的另一端的电容驱动电路构成。电容驱动电路在使驱动晶体管成为截止的时间，使输出从低电平变化为高电平。耦合电容由与字线并行的布线构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具备：具有驱动字线的驱动晶体管的字线驱动电路；在所述字线驱动电路的输出刚到达高电平后的时间，使所述驱动晶体管截止的电路；在所述驱动晶体管截止后的时间，使所述字线升压的字线升压电路，其特征在于，所述字线升压电路，由一端连接到所述字线上的耦合电容和输出端连接到所述耦合电容的另一端的电容驱动电路来构成，所述电容驱动电路，在所述驱动晶体管变为截止的时间，使输出从低电平变化为高电平。
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