[发明专利]等离子腐蚀反应器无效
| 申请号： | 200410003858.X | 申请日： | 1997-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1549308A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·P·德奥尼拉斯;艾尔弗德·科弗;罗伯特·C·韦尔 | 申请（专利权）人： | 泰格尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F1/00;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种等离子体腐蚀反应器，包括：反应室；第一电极；第二电极；与所述第二电极相连的第一电源，其产生第一频率的功率；与所述第二电极相连的第二电源，其产生第二频率的功率；所述第二电极关联于适于固定要处理的晶片的夹盘；所述第一电源产生低频功率；所述第二电源产生高频功率；及第三电极，与产生低频功率的第三电源相连，所述第三电源产生低频功率。等离子体腐蚀反应器能够腐蚀用于高密度半导体器件的新出现的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 腐蚀 反应器 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体腐蚀反应器，包括：反应室；第一电极；第二电极；与所述第二电极相连的第一电源，其产生第一频率的功率；与所述第二电极相连的第二电源，其产生第二频率的功率；所述第二电极关联于适于固定要处理的晶片的夹盘；所述第一电源产生低频功率；所述第二电源产生高频功率；及第三电极，与产生低频功率的第三电源相连，所述第三电源产生低频功率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
