[发明专利]腐蚀晶片的方法无效
| 申请号： | 200410003859.4 | 申请日： | 1997-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1549309A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·P·德奥尼拉斯;艾尔弗德·科弗;罗伯特·C·韦尔 | 申请（专利权）人： | 泰格尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F1/00;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种腐蚀晶片的方法，包括以下步骤：将晶片放置于与第一电极关联的反应室内；从第一电源给所述第一电极在约1200伏电压施加第一功率；从第二电源给所述第一电极在约300伏电压施加第二功率；与所述施加步骤关联地，向所述反应室内引入处理气；与所述施加步骤和所述引入步骤关联地，在所述反应室内形成低于150毫乇的压力；用磁限制控制所述反应室内的等离子体；和在所述晶片上腐蚀结构；其中，所述放置步骤包括放置至少包括锆钛酸铅(PZT)、铂(Pt)、铱(Ir)、钛酸锶铋(Y－1)、钛酸锶钡(BST)、氧化铱(IrO2)、钌(Ru)、和氧化钌(RuO4)中一种膜的晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种腐蚀晶片的方法，包括以下步骤：将晶片放置于与第一电极关联的反应室内；从第一电源给所述第一电极在约1200伏电压施加第一功率；从第二电源给所述第一电极在约300伏电压施加第二功率；与所述施加步骤关联地，向所述反应室内引入处理气；与所述施加步骤和所述引入步骤关联地，在所述反应室内形成低于150毫乇的压力；用磁限制控制所述反应室内的等离子体；和在所述晶片上腐蚀结构；其中，所述放置步骤包括放置至少包括锆钛酸铅(PZT)、铂(Pt)、铱(Ir)、钛酸锶铋(Y-1)、钛酸锶钡(BST)、氧化铱(IrO2)、钌(Ru)、和氧化钌(RuO4)中一种膜的晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
