[发明专利]半导体器件的布线结构无效
| 申请号： | 200410003884.2 | 申请日： | 2004-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1574333A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 浅井孝祐;飞松博;川田宏幸;泽田真人 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏;杨松龄 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一个布线设置了一个与布线本体相连的替代布线，而该替代布线设有一个应力集中部，其中产生的张应力高于布线本体的张应力。在邻近应力集中部通过高密度等离子体CVD形成一个绝缘膜，后者在应力集中部产生张应力。采用这种结构，可以避免在布线本体内任何位置出现空洞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 布线 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的布线结构，布线中局部设置应力集中部，在该应力集中部内的张应力高于该布线其它部分的张应力。
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