[发明专利]半导体存储器件，显示器件，以及便携式电子装置有效
| 申请号： | 200410003978.X | 申请日： | 2004-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN1521852A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 岩田浩;柴田晃秀;矢追善史;岩濑泰章;那胁胜;森川佳直;田中研一 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种包括存储单元和放大器的半导体存储器件，此存储单元具有经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的扩散区、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元，存储单元和放大器被彼此连接成使存储单元的输出被输入到放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 显示 以及 便携式 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种包括存储单元和放大器的半导体存储器件，此存储单元具有经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区的相反的扩散区、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元，存储单元和放大器被彼此连接成使存储单元的输出被输入到放大器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
