[发明专利]具有静电防护功能的发光二极管结构无效
| 申请号： | 200410004029.3 | 申请日： | 2004-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1652359A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 许世昌;许进恭 | 申请（专利权）人： | 元砷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省台南科学工业*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有静电防护功能的发光二极管结构，其包括一基板、一图案化半导体层、一第一电极与一第二电极。其中，图案化半导体层是配置于基板上，且至少区分为一第一岛状结构与一第二岛状结构。第一电极与第二电极是连接于第一岛状结构与第二岛状结构之间，第一电极、第二电极以及该第一岛状结构是构成一发光二极管，而第一电极、第二电极以及第二岛状结构是构成与该发光二极管并联反接之一分流二极管。上述的发光二极管结构中，第一岛状结构与一第二岛状结构可同时由磊晶方式进行制作，以使得发光二极管具有静电防护功能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 静电 防护 功能 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种具有静电防护功能的发光二极管结构，其特征在于，包括：一基板；一图案化半导体层，配置于该基板上，该图案化半导体层包括一第一型掺杂半导体层、一位于该第一型掺杂半导体层的部分区域上的发光层，以及一位于该发光层上的第二型掺杂半导体层，其中该图案化半导体层中的该第一型掺杂半导体层、该发光层以及该第二型掺杂半导体层是至少区分为一第一岛状结构与一第二岛状结构；一第一电极，连接于该第一岛状结构中的该第一型掺杂半导体层与该第二岛状结构中的该第二型掺杂半导体层之间；以及一第二电极，连接于该第一岛状结构中的该第二型掺杂半导体层与该第二岛状结构中的该第一型掺杂半导体层之间，其中该第一电极、该第二电极以及该第一岛状结构是构成一发光二极管，而该第一电极、该第二电极以及该第二岛状结构是构成与该发光二极管并联反接之一分流二极管。
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