[发明专利]增加信道载子流动性的结构有效
| 申请号： | 200410004335.7 | 申请日： | 2004-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1525574A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 黄健朝;王昭雄;葛崇祜;李文钦;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马娅佳 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种增加信道载子流动性的结构，结构包括一复合半导体基底、一闸极、一源极区及一汲极区、一金属硅化物层及一拉伸应力层；其中，复合半导体基底由一第一硅基底层、一第一硅锗基底层、一第二硅锗基底及一第二硅基底层所组成，第二硅基底层形成于顶部；闸极形成于复合半导体基底上；源极区及汲极区分别形成于闸极两侧的复合半导体基底上；金属硅化物层分别形成于闸极、源极区及汲极区上；及拉伸应力层覆盖于复合半导体基底及其它组件上。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 信道 流动性 结构 | ||
【主权项】：
1.一种增加信道载子流动性的结构，其特征在于，包括：一复合半导体基底，该复合半导体基底由一第一硅基底层、一第一硅锗基底层、一第二硅锗基底及一第二硅基底层所组成，该第二硅基底层形成于顶部；一闸极，形成于该复合半导体基底上；一源极区及一汲极区，该源极区及该汲极区分别形成于该闸极两侧的该复合半导体基底上；一金属硅化物层，分别形成于该闸极、该源极区及该汲极区上；及一拉伸应力层，覆盖于该复合半导体基底及该等组件上。
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