[发明专利]垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法

摘要

垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法属于半导体激光器电极制作技术领域。相关的现有技术为刻蚀环形沟槽法。该技术存在的主要问题是，由于最后要用聚酰亚胺填充环形沟槽，使得所制造的激光器散热不良。本发明采用刻蚀环形分布孔法，即在原刻蚀环形沟槽的位置刻蚀若干个环形分布、彼此孤立的孔，通过这些孔同样可以完成氧化物限制层工艺，之后不需将其填充，各个相邻孔之间的桥状通道使得激光器圆台台面各部分仍保持连接状态，仍与连接面、焊盘台面组成一个供蒸镀激光器上电极用的连续平面。本发明主要应用于垂直腔面发射半导体激光器制造领域。

主权项

1、一种在垂直腔面发射半导体激光器制造过程中与激光器上电极制作有关的刻蚀方法，在激光器圆台台面(4)外围环形区域内，对激光器圆台进行刻蚀，刻蚀至氧化物限制层到有源层之间，再经氧化步骤，生成氧化物限制层，最终形成激光器谐振腔孔径，其特征在于，刻蚀多个环形分布、彼此孤立的孔(7)，孔与孔之间的台面部分成为桥状通道(8)，完成氧化物限制层步骤后，即可在由焊盘台面(2)、连接面(3)以及包括多个桥状通道(8)在内的激光器圆台台面(4)组成的一个连续平面上蒸镀激光器上电极。