[发明专利]分布式综合电能质量调节装置有效

专利信息
申请号: 200410004527.8 申请日: 2004-02-20
公开(公告)号: CN1560978A 公开(公告)日: 2005-01-05
发明(设计)人: 卢强;梅生伟;陈菊明;桂小阳;刘锋 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H02J3/18 分类号: H02J3/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 分布式综合电能质量调节装置属于电网电能质量调节技术领域,其特征在于:它由含有测量元件的测量电路、含有计算功能,包括无功功率补偿的控制回路、用各相或各线反并联晶闸管构成的动作回路和分组电力电容器的主回路构成。其中,测量电路通过3个电流互感器、3个电压互感器与电网耦合;控制回路主要由Intel的16位单片机及其外围芯片组成,它的输出信号控制动作回路的开断。它兼具无功补偿和综合电能质量调节的功能,具有补偿精度高、动态响应快、投切无冲击、无暂态过压、开关频率高、使用寿命长的优点。
搜索关键词: 分布式 综合 电能 质量 调节 装置
【主权项】:
1、分布式综合电能质量调节装置,其特征在于,它含有:测量电路,它是一个公知的由电阻和运算放大器组成的电子转换电路,其输入端通过由3个电流互感器和3个电压互感器组成的测量回路与电网耦合;控制回路,由单片机、地址锁存器、片选芯片、RAM、ROM、NVSRAM和I/O扩展芯片组成,其中,所述单片机的信号输入端与所述测量电路的各测量信号输出端相连,所述单片机的各数据、地址信号输出端与所述地址锁存器的各相应输入端相连,所述地址锁存器的各地址逻辑信号输出端分别与上述各RAM、ROM、NVSRAM和I/O扩展芯片的各使能端相连,所述单片机的各数据、地址信号输出端还与所述片选信号的各片选控制信号输入端相连,而该片选芯片的各相应输出端则分别与上述ROM、RAM、NVSRAM和I/O扩展芯片的片选信号输入端相连,所述的NVSRAM是指非易失性静态随机存储器;动作电路,由输入端分别与上述I/O扩展芯片的输出端相连的两个光耦芯片、用电阻和二极管并联构成的两个电压过零检测电路以及三相电容切换用的三相反并联晶闸管构成,其中两个电压过零检测电路中二极管的负极分别与上述两个光耦芯片的输出端相连,而正极则分别与三相反并联晶闸管的控制段相连;主回路由分组电力电容器组成。
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