[发明专利]具有外延的C49-硅化钛（TiSi2）层的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明是关于一种具有C49相的外延生长硅化钛层的半导体装置及其制造方法。此硅化钛层具有预定而不转换该钛层相的界面能量，因此，可防止钛层凝块及沟纹现象的发生。该半导体装置包括：硅层；形成在该硅层上的绝缘层，其中打通部分的绝缘层以形成曝露出部分硅层的接触孔；外延生长的硅化钛层，其具有C49相且会形成在该已布置于该接触孔内的经曝露出的硅基材上；及金属层，其形成在该硅化钛层的表面上。

主权项

1. 一种用来制造半导体装置的方法，其步骤包括：提供已完成预定加工的硅衬底；在所述硅衬底上形成绝缘层；通过打开部分所述绝缘层直至暴露出所述硅衬底的表面而形成接触孔；通过使用经缓冲的氧化蚀刻剂或氢氟酸的湿式清洁方法和使用三氟化氮的干式清洁方法的其中之一来清洁所述硅衬底；在包含氮的气体环境中，对所述硅衬底的表面进行等离子体处理；通过使用物理气相沉积技术在所述硅衬底上沉积钛层；及通过利用热处理使所述硅衬底与已沉积的钛层反应，以形成具有C49相的外延生长的硅化钛层，其中所述等离子体处理在400℃至450℃的温度范围、3托尔至5托尔的压力范围下并且采用400瓦至500瓦的功率进行30秒至60秒。