[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410004848.8 | 申请日： | 2004-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1519998A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 畑雅幸;户田忠夫;冈本重之;井上大二朗;别所靖之;野村康彦;山口勤 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件，其特征在于，包含：至少在背面一部分上具有错位集中的背面区域的基板；在所述基板的表面上形成的半导体元件层；在所述错位集中的所述背面区域上形成的绝缘膜；以及以与所述错位集中的所述背面区域以外的所述基板的背面的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410004848.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：激光模块
- 下一篇：具有检测及保护电源连接状态的装置及其方法
