[发明专利]具有在被钉扎层中含半金属铁磁性哈斯勒合金的交换耦合结构的磁电阻器件无效
| 申请号： | 200410004934.9 | 申请日： | 2004-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1525582A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 马修·J.·凯里;杰弗里·R.·柴尔德莱斯;斯蒂芬·马特 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;G11C11/14;G11B5/127 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种具有通过非磁性间隔层分隔的被钉扎铁磁层和自由铁磁层的磁电阻器件，该器件具有使用接近100％自旋极化的半金属铁磁性哈斯勒合金作为被钉扎铁磁层的交换耦合反铁磁性/铁磁性结构。交换耦合结构包括AF层和被钉扎半金属铁磁性哈斯勒合金层之间的中间铁磁层，这导致交换偏置。可以结合交换耦合结构的磁电阻器件包括电流在平面内的(CIP)读磁头和电流垂直于平面的(CPP)磁性隧道结和读磁头。交换耦合结构在磁电阻器件中可以位于非磁性间隔层的下部或上部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 被钉扎层中含半 金属 铁磁性 哈斯勒 合金 交换 耦合 结构 磁电 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有交换耦合结构的磁电阻器件，并且该器件包含：衬底；和衬底上的交换耦合结构，所述结构包含：反铁磁性材料层，半金属铁磁性哈斯勒合金层，和在反铁磁性材料和所述合金之间并与反铁磁性材料和所述合金接触的铁磁材料层。
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