[发明专利]半导体集成电路装置及其检查方法和制造方法无效
| 申请号： | 200410004963.5 | 申请日： | 1999-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1519906A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 水野弘之;石桥孝一郎;成田进 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/82;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体集成电路中，通过把衬底偏置控制装置102设置为第1状态，在MOS晶体管中流过大电流，把衬底偏置控制装置设定为第2状态，把上述大电流控制为较小的值，进行控制使得第2状态时提供给第1被控制电路的衬底偏置的值是比第1状态时对于PMOS晶体管的衬底偏置高的电压值，是对于NMOS晶体管的衬底偏置低的电压值，第2状态时提供给第1被控制电路的电源电压比该第1状态时小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 及其 检查 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置的检查方法，具有至少包括一个MOS晶体管的第1被控制电路和产生上述MOS晶体管的衬底偏置电位的衬底偏置控制装置，通过把上述衬底偏置控制装置设置为第1状态，允许在上述MOS晶体管的漏源极之间流过比较大的第1电流，通过把上述衬底偏置控制装置设置为第2状态，在上述MOS晶体管的漏源极之间流过比上述比较大的第1电流小的第2电流，特征在于：在上述第2状态时提供到上述第1被控制电路的衬底偏置的值是比上述第1状态时对于PMOS晶体管的衬底偏置相同或者高的电压值，是对于NMOS晶体管的衬底偏置相同或者低的电压值，在上述第2状态时提供给上述第1被控制电路的电源电压是比上述第1状态时小的值，根据上述第2状态时在上述MOS晶体管的漏源极之间流过的电流值选择上述半导体集成电路装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
