[发明专利]半导体激光器装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410005088.2 | 申请日： | 2004-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1534638A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 小原直树;岩元伸行;高森晃;松田俊夫 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11B7/125 | 分类号： | G11B7/125;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于高位置精度发射激光束的半导体蓝光激光器装置以及该装置的制造方法，通过在半导体衬底上以高精度和高可靠性安装半导体激光器元件来获得该装置。在衬底表面内的凹槽具有由SiN层105、Ti层110a和110b、Au层111a和111b、散热层113和焊料层114覆盖的p型层100。在Au层111b上设置并固定半导体激光器元件10。散热层113插入在Au层111a和Ti层110b之间并具有大约20μm的厚度。用于反射激光束LB的反射单元50在它的表面处包括作为反射层的Al层116和介电层117，其为蓝光激光束提供高折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光器装置，包括：半导体衬底，它的主表面具有凹槽，凹槽的侧壁具有接收激光束并以衬底的厚度方向将接收到的激光束向外反射的光反射器；半导体激光器元件，其设置在该凹槽中并以基本上平行于该半导体衬底的主表面的方向朝光反射器发射激光束；散热层，其形成在该凹槽的底面以便调整半导体激光器元件在衬底的厚度方向的位置，并向半导体衬底释放半导体激光器元件工作时产生的热；粘接层，与该半导体激光器元件的表面形成接触，其面向该凹槽的底面；以及扩散防止层，其嵌入在散热层和粘接层之间，具有导电性并防止散热层和粘接层之间产生的扩散。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410005088.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：流量控制装置
- 下一篇：弹性表面波谐振器、弹性表面波滤波器和天线共用器
