[发明专利]半导体存储器器件中的预充电装置及其预充电方法无效
| 申请号： | 200410005229.0 | 申请日： | 2004-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1577947A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 具滋昇 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01M10/44 | 分类号： | H01M10/44;H01M10/42;H02J7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王志森;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体存储器器件中的预充电装置及使用该装置的预充电方法。该预充电装置包括：一存储器阵列，该存储器阵列中的多个存储体被分成至少两存储器组；以及一预充电所有命令解码器，用于根据一预充电命令信号及一地址信号来产生至少两个预充电信号，其中根据一控制信号以按照一时间滞后来输出该至少两个预充电信号，以便按照一时间滞后来预充电该至少两存储器组。因此，峰值电流被分散而得以减少功率跳动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 器件 中的 充电 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器器件中的预充电装置，该预充电装置被连接至一具有多个存储体的存储器阵列，该多个存储体被分成至少两存储器组，并且该预充电装置包括：一预充电所有命令解码器，用于根据一预充电命令信号及一地址信号来产生至少两个预充电信号，其中根据一控制信号以按照一时间滞后来分别输出该至少两个预充电信号，以便按照一时间滞后来预充电该至少两存储器组。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410005229.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：帮助应用穿越防火墙的方法
- 下一篇：图像显示装置
