[发明专利]具增加击穿电压的半导体结构及制造该半导体结构的方法有效
| 申请号： | 200410005258.7 | 申请日： | 2004-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1531102A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | A·蒂尔科;W·克莱恩 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72;H01L29/78;H01L29/02;H01L29/00;H01L21/328;H01L21/334;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 半导体结构，包括第一掺杂型态之埋藏第一半导体层，第一掺杂型态之第二半导体层，其系位于埋藏半导体层上，并较埋藏第一半导体层之掺杂少，第二掺杂型态之一半导体区域，其系位于该第二半导体层上，pn接合面形成于半导体区域及第二半导体层之间，及一凹陷，其系位于包含第一掺杂型态之半导体材料之埋藏第一半导体层中低于半导体区域之位置，并可较埋藏第一半导体层之掺杂少，且其与在第二半导体层上之第二掺杂型态之半导体区域间之距离较大，因此穿越pn接合面之击穿电压高于未提供该凹陷之状况。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 击穿 电压 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括：一第一掺杂型态之一埋藏第一半导体层(101、103)；该第一掺杂型态之一第二半导体层(113、219)，其系位于埋藏半导体层(101、203、204)之上，并较该埋藏第一半导体层(101、203、204)之掺杂为少；一第二掺杂型态之一半导体区域(113、219)，其系位于该第二半导体层(111、213)之上，因此一pn接合面系形成于该半导体区域(113、219)以及该第二半导体层(111、213)之间；以及一凹陷(103)，其系位于包含该第一掺杂型态之半导体材料之该埋藏第一半导体层(102、203、204)中低于该半导体区域(113、219)之位置，并在基板中位于较该埋藏第一半导体层(101、203、204)为深之位置，因此，穿越该pn接合面之崩溃电压系高于未提供该凹陷(103)之状况。
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