[发明专利]半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 200410005297.7 | 申请日： | 2004-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN1523644A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 刘埃森;彭宝庆;雷明达;万文恺;林正忠;黄桂武;林义雄;林佳惠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/31;H01L21/324;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王铮 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构的制造方法，其在部分的闸极介电薄膜上形成金属闸极后，利用例如热处理(Thermal Treatment)的方式使位于金属闸极下方的闸极介电薄膜转变成高介电常数(High－k)介电层。如此一来，即可顺利地将闸极介电薄膜转化形成具有高介电常数闸极介电层以及金属闸极的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构的制造方法，至少包括：提供一基材，其中该基材上至少已形成依序堆栈的一第一材料层以及一第二材料层；以及进行一后处理步骤，使该第二材料层与该第一材料层反应而使该第一材料层转变成一高介电常数材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
