[发明专利]电荷传送元件无效
| 申请号： | 200410005322.1 | 申请日： | 2004-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1519951A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 冈田吉弘 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/762 | 分类号： | H01L29/762;H01L27/148 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及电荷传送元件。具有能抑制反向栅极效果的输出部分构造的电荷传送元件。一种固体摄像元件，它具备沟道区域12，与沟道区域12连接并被配置的第1元件区域18，在第1元件区域18中形成了源极区域和漏极区域的复位晶体管Tr，第2元件区域52，以及在第2区域52中形成源极区域Sd1和漏极区域Dd1，同时，栅极电极与复位晶体管的源极区域连接的第1晶体管Td1，在这样的固体摄像元件中，在第1晶体管Td1的源极区域Sd1和漏极区域Dd1之间，通过第2源极区域52的表面区域的实效的杂质浓度变成比第2元件区域52的半导体衬底和第2元件区域52的边界区域的实效的杂质浓度低能解决上述课题。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 传送 元件 | ||
【主权项】：
1.一种电荷传送元件，其特征在于，它具备：被配置在一个导电型半导体衬底的一个主面的逆导电型的半导体区域；在所述半导体衬底上沿着一个方向延伸并被配置的一个导电型的沟道区域；在所述半导体衬底上与所述沟道区域交叉并被配置的多个传送电极；在所述半导体区域内与所述沟道区域连接并被配置的电容；以及在所述半导体区域内配置源极和漏极，栅极被连接到所述电容的输出晶体管，配置了所述输出晶体管的所述半导体区域的所述半导体衬底的深度方向的浓度分布在所述半导体区域的中间位置遇到极大值。
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