[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件具备p^－硅衬底、p^－硅衬底上的n^－外延生长层、n^－外延生长层表面上的场绝缘膜、在n^－外延生长层上形成的npn晶体管、在n^－外延生长层上形成的pnp晶体管、n^－外延生长层上的DMOS晶体管和电阻。DMOS晶体管包含构成源的n⁺扩散层、构成背栅区的p型扩散层、构成漏的低浓度n型扩散层和高浓度n⁺扩散层。

主权项

1、一种半导体器件，其特征在于：具备：第1导电类型的半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的第2导电类型的半导体层；在上述半导体层表面上有选择地形成的场绝缘膜；从上述半导体层表面抵达上述半导体衬底，将各元件进行隔离的第1导电类型的元件隔离区；在上述半导体层上经栅绝缘膜形成的DMOS(双扩散金属-氧化物-半导体)晶体管的栅电极；在上述半导体层的表面形成的、从DMOS晶体管的源侧抵达上述栅电极之下的第1导电类型的阱区；在上述半导体层的表面形成的、具有作为第1双极晶体管的基区的功能的第1导电类型的第1杂质扩散层；在上述半导体层的表面形成的、具有作为电阻的功能的第1导电类型的第2杂质扩散层；在上述半导体层的表面形成的、具有作为第2双极晶体管的发射区和集电区的功能的第1导电类型的第3和第4杂质扩散层；在上述阱区的表面形成的、具有作为上述DMOS晶体管的背栅区的功能的第1导电类型的第5杂质扩散层；在上述半导体层的表面形成的、具有作为上述DMOS晶体管的漏的功能的、具有含有浓度相对低的第2导电类型的杂质的低浓度区和含有浓度相对高的第2导电类型的杂质的第1高浓度区的第6杂质扩散层；在上述半导体层的表面形成的、具有作为上述第1双极晶体管的发射区引出层和集电区引出层的功能的第2导电类型的第7和第8杂质扩散层；在上述半导体层的表面形成的、具有作为第2双极晶体管的基区引出层的功能的第2导电类型的第9杂质扩散层；在上述阱区的表面形成的、具有作为上述DMOS晶体管的源的功能的、用含有与上述第1高浓度区相同程度的浓度的第2导电类型的杂质的第2高浓度区构成的第10杂质扩散层。