[发明专利]一种即插即用片上测试向量生成电路及方法无效
| 申请号： | 200410005454.4 | 申请日： | 2004-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN1560914A | 公开（公告）日： | 2005-01-05 |
| 发明（设计）人： | 韩银和;李晓维 | 申请（专利权）人： | 中国科学院计算技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及大规模集成电路技术领域，特别是一种即插即用片上测试向量生成电路及方法。该方法和电路核心是一个非侵入式的片上测试向量生成电路。该测试向量生成电路由两个主要部分和冷冻控制电路构成，两个主要部分是：1)译码器。该译码器根据从测试设备装载的内容，产生选择修正信号对线性反馈移位寄存器中的值进行修正，使得线性反馈移位寄存器能够产生期望的测试向量。2)单值可控线性反馈移位寄存器。用于根据修正的种子，自动产生测试向量。冷冻控制电路提供了多值修正和变长窗口向量自动生成机制，使得测试向量生成过程具备了灵活性。由于测试向量产生电路可以产生确定性测试向量，保证了故障覆盖率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 即插即用 测试 向量 生成 电路 方法 | ||
【主权项】：
1、一种即插即用片上测试向量生成电路，该电路是基于线性反馈移位寄存器，其特征在于，使用一个译码器控制线性反馈移位寄存器产生目标确定性测试向量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
