[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200410005581.4 | 申请日： | 2004-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN1523677A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 中村和敏;末代知子;川口雄介;中川明夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低了无效电流并且抑制了基板电流的半导体装置。半导体装置包括：具有主表面的硅基板(110)，硅基板(110)的主表面上设置的P型半导体层(130)，半导体层(130)与硅基板(110)之间设置的P型埋入层(140)，设置在硅基板(110)的周围、从半导体层(130)的表面到达埋入层(140)的P型第1连接区域(160)，半导体层(130)的表面设置的开关元件(10)，设置在比开关元件(10)更靠近连接区域(160)的半导体层(130)的表面上、耐压比开关元件(10)低的低耐压元件(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：具有主表面的半导体基板；设置在上述半导体基板的主表面上的第1导电型半导体层；在上述半导体层与上述半导体基板之间设置的第1导电型的第1埋入层；设置在上述第1埋入层的周围、从上述半导体层的表面到达上述第1埋入层的第1导电型的第1连接区域；设置在位于上述第1埋入层上的上述半导体层的表面设置的开关元件；设置在比上述开关元件靠近上述第1连接区域的上述半导体层的表面上、耐压比上述开关元件低的低耐压元件。
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