[发明专利]半导体衬底晶体材料生长真空系统有效
| 申请号： | 200410005795.1 | 申请日： | 2001-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1542172A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李明远;陈迎春;陈锦来;李欣洋 | 申请（专利权）人： | 李明远 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00 |
| 代理公司： | 深圳市创友专利代理有限公司 | 代理人： | 彭家恩 |
| 地址： | 518000广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种适用于半导体衬底晶体材料生长的真空系统，包括晶体生长真空室和高真空系统，所述高真空系统包括用于抽真空的直联旋叶式机械泵、钛离子泵和冷却阱，直联旋叶式机械泵经预真空阀门、真空管道接钛离子泵，钛离子泵经冷却阱、阀门、高真空管道、高真空阀接晶体生长真空室。本发明为半导体衬底晶体材料生长提供一个优质洁净的超高真空环境，真空室内极限真空度可达3×10－8Pa。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 晶体 材料 生长 真空 系统 | ||
【主权项】：
1、一种适用于半导体衬底晶体材料生长的真空系统，包括晶体生长真空室和高真空系统，其特征在于：所述高真空系统包括用于抽真空的直联旋叶式机械泵、钛离子泵和冷却阱，直联旋叶式机械泵经预真空阀门、真空管道接钛离子泵，钛离子泵经冷却阱、阀门、高真空管道、高真空阀接晶体生长真空室。
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