[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410005828.2 | 申请日： | 1999-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1532942A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 齐藤惠志;佐野政史 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L31/0368;H01L31/075;H01L31/20;H01L21/205;C23C16/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在包含微晶态半导体的半导体元件中，在微晶态晶粒内提供半导体结。而且在包含微晶态半导体的半导体元件中，提供不同直径的微晶态晶粒作为混合物，以便形成半导体层。因此，半导体结的不连续性得以改善，从而改善半导体元件的特性，耐用性，耐热性。半导体层中的变形也降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、半导体元件，包含微晶态半导体，具有不同颗粒直径的微晶态晶粒以混合物出现的区域。
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