[发明专利]充电损伤评价用半导体器件和充电损伤评价方法无效
| 申请号： | 200410005879.5 | 申请日： | 2004-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1523653A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 成田贤治;山口峰生 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供能够检测因静电引起的充电损伤的充电损伤评价用半导体器件及其评价方法。该充电损伤评价用半导体器件具备：硅衬底9；在该硅衬底9上形成的第一绝缘膜10；在该第一绝缘膜10上形成、与硅衬底9连接的第一导电层6；在该第一导电层6上形成的第二绝缘膜11；在该第二绝缘膜11上形成、成为天线的第2导电层8；以及在该第二导电层8上形成的第三绝缘膜12。 | ||
| 搜索关键词： | 充电 损伤 评价 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种充电损伤评价用半导体器件，其特征在于：具备：衬底；在该衬底上形成的第一绝缘膜；在该第一绝缘膜上形成、与上述衬底连接的第一导电层；在该第一导电层上形成的第二绝缘膜；在该第二绝缘膜上形成、成为天线的第二导电层；以及在该第二导电层上形成的第三绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
