[发明专利]非易失性半导体存储器件及其记录方法

摘要

设置在每条位线或者多条位线上的写电路包括用于存储写入多个页面的数据的多个锁存电路，以及包括用于连接多个锁存电路和位线的位线连接电路，并且通过重复连续的编程操作以及连续的验证操作来对多个页面执行写操作，其中当电压生成电路连续地生成编程操作所需电压时，对多个页面连续地执行编程操作，当电压生成电路连续地生成验证操作所需电压时，连续地对多个页面执行验证操作。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器件，包括：多条字线；多条位线；存储单元阵列，具有在所述多条字线和所述多条位线的交叉部分、以矩阵形状设置的存储单元；写电路，为每条位线或者多条位线设置，以便对包括所述多个存储单元的页面执行批量写操作，所述写电路包括多个锁存电路，用于存储写入多个页面的数据，以及位线连接电路，用于连接所述多个锁存电路和位线；电压生成电路，用于生成写操作所必需的电压；以及控制电路，用于通过重复连续的编程操作以及连续的验证操作来对多个页面执行写操作，其中当连续地操作所述电压生成电路以便令该电路连续地生成编程操作所必需的电压时，所述连续的编程操作顺序地选择写入存储在所述许多锁存电路中的多个页面的数据，由此对多个页面连续地执行编程操作，并且其中当连续地操作所述电压生成电路以便令该电路连续地生成验证操作所必需的电压时，连续的验证操作顺序地选择写入存储在所述多个锁存电路中的多个页面的数据，由此连续地对多个页面执行验证操作。