[发明专利]非易失性半导体存储器件有效
申请号: | 200410005950.X | 申请日: | 2004-02-23 |
公开(公告)号: | CN1542857A | 公开(公告)日: | 2004-11-03 |
发明(设计)人: | 三角贤治;藤原淳;松浦正则;西本敏夫 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 吕晓章;马莹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供了写操作选择电路以用于选择具有存储单元晶体管元件的规定记录时间的临时写操作和用于存储单元晶体管元件的附加写操作。提供了记录时间控制电路以用于通过写操作选择电路的输出信号控制附加写操作时间。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性半导体存储器件,包括:写操作选择电路,用于选择具有存储单元晶体管元件的规定记录时间的临时写操作以及存储单元晶体管元件的附加写操作;以及记录时间控制电路,用于依照写操作选择电路的输出信号控制附加写操作的时间。
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