[发明专利]多级内存元件与其程序设计及读取方法有效
申请号: | 200410006005.1 | 申请日: | 2004-02-25 |
公开(公告)号: | CN1574091A | 公开(公告)日: | 2005-02-02 |
发明(设计)人: | 陈逸舟;卢志远 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G11C16/06;G11C7/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是关于一种多级内存核心组件与其程序设计及读取方法,该多级内存核心组件包括一字符线(word line)及一位线(bit line)的多级内存核心(multilevel memory core)。上述多级内存核心也包括一个与上述字符线及位线电性通讯的核心单元(core cell)。上述核心单元包括一临界值变更材料(threshold changing material)。上述临界值变更材料被程序设计(programmed)以便定义多级储存,其中上述多级储存的每一级与一相对应的临界电压(threshold voltage)有关。也将说明用以读取上述多级内存核心的方法。 | ||
搜索关键词: | 多级 内存 元件 与其 程序设计 读取 方法 | ||
【主权项】:
1、一种多级内存核心,其特征在于该核心包括:一字符线;一位线;以及一核心单元,与该字符线及该位线电性通讯,该核心单元包括一临界值变更材料,该临界值变更材料被程序设计以便定义多级储存,其中每一该多级储存与一相对应的临界电压有关。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410006005.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示设备及其图像控制方法
- 下一篇:含硼抛光系统及方法