[发明专利]具有适当读出计时的半导体存储器器件无效
| 申请号： | 200410006056.4 | 申请日： | 2004-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1610002A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 福士功;川岛将一郎 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵淑萍 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器器件，包括：存储器单元；信号线，其上有可响应于从所述存储器单元读取的数据的电势；电势检测电路，其响应于检测到所述信号线上的电势超过预定电势，而输出检测信号；和读出放大器，其响应于所述检测信号而放大所述信号线上的电势。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 适当 读出 计时 半导体 存储器 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器器件，包括：存储器单元；信号线，其上有可响应于从所述存储器单元读取的数据的电势；电势检测电路，其响应于检测到所述信号线上的所述电势超过预定电势，而输出检测信号；和读出放大器，其响应于所述检测信号而放大所述信号线上的所述电势。
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