[发明专利]电致发光显示装置无效
申请号: | 200410006147.8 | 申请日: | 2004-03-02 |
公开(公告)号: | CN1527105A | 公开(公告)日: | 2004-09-08 |
发明(设计)人: | 米田清 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 戈泊;鲍玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种电致发光显示装置,解决有机电场组件的微弱发光而成为亮度显示的问题。在形成于玻璃基板等透明绝缘性基板(100)上的多晶硅层所成主动层(101)上,形成栅极绝缘层(102),另形成在栅极绝缘层(102)上延伸的栅极(13g)于主动层(101)形成低浓度掺杂漏极构造(LDD)的源极·漏极。源极(13s)是由相互邻接而触接的P-层及P+层所构成该P+层是掺杂浓度1×1020/cc程度的高浓度层。P-层是由P+层向栅极(13g)方向延伸的掺杂浓度1×1018/cc程度的低浓度层,而且以相互邻接的P-层及P+层构成漏极(13d)。 | ||
搜索关键词: | 电致发光 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种电致发光显示装置,是具有多个像素,而各该像素是具备:对应于栅极信号选择各像素的像素选择用晶体管;电致发光组件,及对应于经由上述像素选择用晶体管供应的显示信号,而驱动上述电致发光组件的驱动用晶体管,而且,上述驱动用晶体管为P沟道型,其特征在于,同时以LDD构造形成。
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