[发明专利]具有薄膜腔声谐振器的双工滤波器及其半导体封装无效
| 申请号： | 200410006309.8 | 申请日： | 2004-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1523754A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 朴宰永 | 申请（专利权）人： | LG电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/15 |
| 代理公司： | 北京金信联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张金海 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明所公开的是一种薄膜腔声谐振器，具有该薄膜腔声谐振器的双工滤波器，及其半导体封装。该薄膜腔声谐振器包括：半导体底层；在半导体底层上表面形成的两层以上的下面的电极；在下面的电极上表面沉积的具有一定厚度的压电层；在压电层上表面形成的两层以上的上面的电极。该薄膜腔声谐振器具有良好的粘接特性。将通过若干薄膜腔声谐振器串联和并联连接而形成的薄膜腔声滤波器和薄膜腔声谐振器外围无源元件集成到一个半导体芯片中可以使得双工滤波器微型化。以及，半导体封装适合于双工滤波器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 薄膜 谐振器 双工 滤波器 及其 半导体 封装 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜腔声谐振器包括：半导体底层；在半导体底层上表面形成的两层以上的下面的电极；在下面的电极的上表面上沉积的压电层；在压电层上表面形成的两层以上的上面的电极。
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