[发明专利]一种避免电镀沉积铜薄膜生成空穴的装置及其使用方法有效
| 申请号： | 200410006409.0 | 申请日： | 2004-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1530471A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈学忠;蔡腾群;杨名声 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D17/00;H01L21/288;H01L21/445 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马娅佳 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改良的电镀沉积铜(Electro－Chemical Deposition Copper，ECD－Cu)装置以及避免铜沉积薄膜生成空穴(cavity)的方法。该电镀装置包含有一电解槽，一阳极，设于该电解槽内，以及一旋转平台，用以放置一作为电镀沉积阴极的晶圆。本发明方法是于进行该电镀铜沉积制程时，控制该旋转平台以1秒至10秒的周期交替正、逆时针方向旋转，以避免于该电解槽内的电镀溶液形成稳定的漩涡，进而抑制漩涡中的气泡附着在晶圆表面而于电镀铜薄膜中形成许多空穴的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 电镀 沉积 薄膜 生成 空穴 装置 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于一半导体制程中的电镀沉积装置，该电镀沉积装置包含有：一电解槽，用来盛装一电解液；一阳极，设于该电解槽内；以及一旋转平台，用来置放一作为电镀沉积阴极的晶圆，该旋转平台于该电镀沉积制程进行时以顺时针方向与逆时针方向交错运转。
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