[发明专利]一种用化合物半导体制造光发射装置的方法无效
| 申请号： | 200410006449.5 | 申请日： | 2004-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1527413A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 徐廷勋 | 申请（专利权）人： | LG电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京金信联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张金海 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用化合物半导体制造光发射装置的方法，更特别是一种用III－V族化合物半导体制造光发射装置的方法，通过在比传统技术低的温度下进行热处理，增加元件光发射效率或耐久性，即在高氧浓度条件下激活p－半导体层，此想法来源众所周知的事实，即氧浓度超高，越好的掺入如p－GaN的p－型半导体可以被激活。该方法包括：步骤一，按顺序在双基层之上形成n－半导体层、一个激活层、一个p－半导体层；步骤二，制成具有从p－半导体层到n－半导体层部分沿垂直方向台面切割的n－半导体的部分；步骤三，在p－半导体层之上形成用于扩充电流的透明电极和在氧等离子体条件下激活p－半导体层；步骤四，在用于扩充电流的透明电极之上形成各n－平头电极和p－平头电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 制造 发射 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用化合物半导体制造光发射装置的方法，包括：步骤一，按顺序在双基层之上形成一个n-半导体层，一个激活层，和一个p-半导体层；步骤二，制成至少一个通过从p-半导体层到n-半导体层的一部分在垂直方向的台面切割而暴露的n-半导体的部分；步骤三，在p-半导体层之上形成用于扩充电流的透明电极和在氧等离子体的条件下激活p-半导体层；步骤四，在用于扩充电流的透明电极之上形成各n-平头电极和p-平头电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子有限公司，未经LG电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410006449.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
